技術(shù)文章
Technical articles第1步，石英管縮頸抽真空后開始燒結(jié)縮頸，縮頸部位燒至凹陷即可Step1:SilicatubeneckingFrittheneckingafterthevacuumizinguntiltheneckingpartgetssunken第2步，裝樣裝石英柱將樣品裝入石英管，將石英柱下滑至縮頸處卡住Step2:SilicacolumnsampleloadingPutthesampleintosilicatubesａndslidethesilicacolumntotheneckingf...
等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)，通常物質(zhì)以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)3種狀態(tài)存在，但在一些特殊的情況下可以以第四種狀態(tài)存在，如太陽表面的物質(zhì)和地球大氣中電離層中的物質(zhì)。這類物質(zhì)所處的狀態(tài)稱為等離子體狀態(tài)，又稱為物質(zhì)的第四態(tài)。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子的存在，其本身很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。等離子體清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。與濕法清洗相比，等離子清洗機的優(yōu)勢表面在以下幾個方面：1、在經(jīng)過等離子清洗之后，被清洗物體已經(jīng)很干燥，...
1.自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機或基本不拆機的情況下，通過各種檢測分析來判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常，異?；蚬收系脑颉⒉课?、程度以及壽命的預(yù)測。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息，即根據(jù)設(shè)備在各種工況下，表現(xiàn)出來的精度超差，零點漂移，內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來識別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類型和異常的嚴(yán)重程度，其本質(zhì)是一個包含信號采集、信息提取、信息綜合、故障識別和信息利用的過程。自我診斷的目標(biāo)是確保產(chǎn)品在功能、精度、效率和可靠性方面均能穩(wěn)定運行2.自我診斷技術(shù)在氣體質(zhì)...
快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對國內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價值。本文針對現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過深入的分析研究,設(shè)計了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對單一,難以實現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實驗及檢測功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實驗中,若采用單一探針模式,在完成磨損實驗后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對表面磨損區(qū)域進行原位的高分辨形貌掃描與觀測。然而,在更換針尖的過程中,微觀磨損...
針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預(yù)先清洗時的污染;設(shè)計了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機、傳動裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計等離子體源來改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問題。選擇0.2mm鎢絲...
集成電路自動化裝備-探針臺是晶圓測試領(lǐng)域研究的熱點。由于晶圓片上晶粒很小,達到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運動精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對針和測試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺高精密控制,從而達到微米級定位要求。本文來自于國家02專項-面向12”晶圓片的全自動探針臺關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運動流程；其次,本文重點對預(yù)對位、Z軸升降、XY平臺三個關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進行研究,分析影響控制精度...
當(dāng)前位置：
